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低位错锗晶体
低位错的锗单晶因其晶格完整的特性,主要用于 - 族电池的衬底材料,并最终广泛应用于空间太阳能发电板。有研光电采用直拉法生长的低位错锗单晶,具有大直径、低位错密度、高机械强度的特点。目前可提供的最大直径为4英寸。
郑重申明:有研光电新材料有限责任公司以外的任何单位或个人,不得使用该案例作为工作成功展示!